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11年
T11263系列为一维热电堆阵列，通过CMOS和MEMS技术，成功结合了一个移位寄存器和一个硅温度探测器。信号在放大之后通过移位寄存器实现串行输出。预放大器和移位寄存器是通过混合连接内置在传感器的第二级。将不同组件内置在一个封装中有助于减小内部噪声和简化外部电路设计。该传感器使用的金属封装与16针DIP插座适配，因此使用该系列传感器可以配置出低成本的紧凑型系统。
| 封装 | 金属 |
| 感光面积 | 0.3 x 0.3 mm |
| 象元数 | 16 |
| 光灵敏度（典型值） | 80 V/W |
| 输出噪声电压（典型值） | 180 nV/Hz1/2 |
| 上升时间（典型值） | 2 ms |
| 供给电压（值） | 4.75 V |
| 供给电压（典型值） | 5 V |
| 供给电压（值） | 5.25 V |
| 输入电流（典型值） | 17 mA |
| 电流增益（典型值） | 2900 |
| 帧速率（值） | 250 frames/s |
| 数字输出电压（典型值） | 1 to 4 V |
| 光窗材料 | 5 μm 截止滤光片 |
| 附加功能 | 移位寄存器和一个放大器 |
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